| 主权项 |
1.一种具散热件之多晶片半导体装置,系包括:一晶片承载件,其系用以提供该半导体装置电性连接至外部装置;至少一第一晶片,其系藉由覆晶形式接置于该晶片承载件之晶片接置区;至少一封装件,其系藉由表面接着技术接置于该晶片承载件之晶片接置区;以及一散热件,其系透过一黏着层接置于该第一晶片与该封装件相对于该晶片承载件之表面上,其中,该散热件于未与该第一晶片与该封装件接触之部分形成有贯穿该散热件之镂空部,藉以释放该散热件所产生的热应力。2.如申请专利范围第1项之具散热件之多晶片半导体装置,其中,该半导体装置系为一覆晶式球栅阵列封装件。3.如申请专利范围第1项之具散热件之多晶片半导体装置,其中,该半导体装置系为一绘图晶片。4.如申请专利范围第3项之具散热件之多晶片半导体装置,其中,该第一晶片系为一图像处理单元。5.如申请专利范围第3项之具散热件之多晶片半导体装置,其中,该封装件系为一随机存取记忆单元。6.如申请专利范围第5项之具散热件之多晶片半导体装置,其中,该封装件系为一动态随机存取记忆体(Dynamic Random Access Memory;DRAM)、同步动态随机存取记忆体(Synchronous Dynamic Random Access Memory;SDRAM)或双资料读取率同步动态随机存取记忆体(Double DataRate SDRAM; DDRSDRAM)其中之一种。7.如申请专利范围第1项之具散热件之多晶片半导体装置,其中,该第一晶片系接置于该晶片承载件中央;该封装件系分别接置于该晶片承载件上相对于该散热件之角缘处。8.如申请专利范围第7项之具散热件之多晶片半导体装置,其中,该散热件之镂空部系形成于该封装件间。9.如申请专利范围第8项之具散热件之多晶片半导体装置,其中,该散热件之镂空部系至少一组相互对称的形成于该封装件间。10.如申请专利范围第1项之具散热件之多晶片半导体装置,其中,该镂空部系为一「T」形、「I」形、梯形及多孔形其中之一者。11.一种具散热件之多晶片半导体装置制法,系包括:制备一晶片承载件,并于该晶片承载件之晶片接置区上接置并电性连接有至少一第一晶片及一封装件;以及透过一黏着层接置一散热件于该第一晶片及该封装件相对于该晶片承载件之表面上,其中,该散热件于未与该第一晶片与该封装件接触之部分形成有贯穿该散热件之镂空部,藉以释放该散热件所产生的热应力。12.如申请专利范围第11项之具散热件之多晶片半导体装置制法,其中,该半导体装置系为一覆晶式球栅阵列封装件。13.如申请专利范围第11项之具散热件之多晶片半导体装置制法,其中,该半导体装置系为一绘图晶片。14.如申请专利范围第13项之具散热件之多晶片半导体装置制法,其中,该第一晶片系为一图像处理单元。15.如申请专利范围第13项之具散热件之多晶片半导体装置制法,其中,该封装件系为一随机存取记忆单元。16.如申请专利范围第15项之具散热件之多晶片半导体装置制法,其中,该封装件系为一动态随机存取记忆体(Dynamic Random Access Memory;DRAM)、同步动态随机存取记忆体(Synchronous Dynamic Random Access Memory;SDRAM)或双资料读取率同步动态随机存取记忆体(Double Data Rate SDRAM;DDRSDRAM)其中之一种。17.如申请专利范围第11项之具散热件之多晶片半导体装置制法,其中,该第一晶片系接置于该晶片承载件中央;该封装件系分别接置于该晶片承载件上相对于该散热件之角缘处。18.如申请专利范围第17项之具散热件之多晶片半导体装置制法,其中,该散热件之镂空部系形成于该封装件间。19.如申请专利范围第18项之具散热件之多晶片半导体装置制法,其中,该散热件之镂空部系至少一组相互对称的形成于该封装件间。20.如申请专利范围第11项之具散热件之多晶片半导体装置制法,其中,该镂空部系为一「T」形、「I」形、梯形及多孔形其中之一者。21.如申请专利范围第11项之具散热件之多晶片半导体装置制法,复包括形成一封装胶体于该晶片承载件上,用以包覆该第一晶片、封装件、散热件及部分之晶片承载件。22.如申请专利范围第11项之具散热件之多晶片半导体装置制法,其中,该第一晶片系藉由覆晶形式接置于该晶片承载件之晶片接置区。23.如申请专利范围第11项之具散热件之多晶片半导体装置制法,其中,该封装件系藉由表面接着技术接置于该晶片承载件之晶片接置区。图式简单说明:第1图为习知多晶片半导体装置之局部剖视图;第2图为习知具散热件多晶片半导体装置之局部剖视图;第3a图为习知具散热件多晶片半导体装置于增温时的热应力施力示意图;第3b图为习知具散热件多晶片半导体装置于降温时的热应力施力示意图;第4a图为本发明之具散热件之多晶片半导体装置之部分上视示意图;第4b图为本发明之具散热件之多晶片半导体装置之剖面示意图;第4c为本发明之具散热件之多晶片半导体装置之上视图;第5图为本发明之具散热件之多晶片半导体装置增温时该散热件的热应力施力示意图;第6a与6b图为本发明之具散热件之多晶片半导体装置之制造流程图;以及第7a至第7c图为本发明之具散热件之多晶片半导体装置知该散热件镂空部其他实施例示意图。 |
