发明名称 低潜伏期光学记忆体滙流排
摘要 本发明的实施例包括用以与一记忆体进行通讯的一积体电路。该积体电路具有一光学发送器以及耦合至该积体电路之光学发送器的一光学汇流排。N个光学接收器系透过N个光学耦合器耦合至该光学汇流排。N个记忆体模组系耦合至该等N个光学接收器。M个记忆体装置则耦合至该等N个记忆体模组。该光学发送器将把一信号从一第一电气信号转换为一光学信号以供与该等N个记忆体装置进行通讯。该光学汇流排将传播该光学信号。各个该等N个光学耦合器把来自该光学汇流排之该光学信号的N分之一耦合于该等N个光学接收器中之每一个,各个该等光学接收器针对其相关联记忆体装置把该光学信号的其N分之一转换为一电气信号。
申请公布号 TW200535482 申请公布日期 2005.11.01
申请号 TW093140512 申请日期 2004.12.24
申请人 英特尔公司 发明人 莫洛威;伯尼特
分类号 G02B6/43;G06F13/16 主分类号 G02B6/43
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国