深沟渠单边埋藏导电带之制作方法

摘要

本发明系关于一种深沟渠单边埋入导电带(SSBS)之制作方法。首先，提供一形成有深沟渠之基底，且深沟渠内包含一沟渠电容及一多晶矽层覆盖于沟渠电容上。接着依序沈积第一和第二遮罩层于多晶矽层上，再进行斜角离子布植与蚀刻制程，以蚀除未植入掺杂离子之第二遮罩层，然后再进行离子布植与湿蚀刻制程，将裸露之第一遮罩层蚀除，形成一硬遮罩覆盖于之多晶矽层上，最后蚀刻未被硬遮罩遮蔽之部分多晶矽层，以形成由多晶矽层所构成之单边埋入导电带。

主权项

1.一种单边埋入导电带(SSBS)之制作方法,该制作方法包含有下列步骤:提供一基底,该基底中包含有一深沟渠,且该深沟渠内设置有一沟渠电容;于该深沟渠内形成一导电层,并覆盖于该沟渠电容上;于该基底表面形成一第一遮罩层,并覆盖于该深沟渠内之侧壁及该导电层上;于该第一遮罩层表面形成一第二遮罩层;进行一斜角离子布植制程;去除未受离子布植之部分该第二遮罩层;利用受离子布植之部分该第二遮罩层当作硬遮罩来对该第一遮罩层进行一离子布植制程;去除受离子布植之部分该第一遮罩层;以及利用剩下之部分该第二、第一遮罩层当作硬遮罩来蚀刻该导电层。2.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该第一遮罩层系为一TEOS氧化层。3.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该第二遮罩层系为一非晶矽层。4.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该第一遮罩层以及该第二遮罩层皆系利用高密度电浆化学气相沉积法所形成。5.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该离子布植制程系为一正向离子布植制程。6.如申请专利范围第5项所述之制作方法,其中该斜角离子布植制程与该正向离子布植制程系使用相同之掺杂离子。7.如申请专利范围第5项所述之制作方法法,其中该斜角离子布植制程与该正向离子布植制程系使用不同之掺杂离子。8.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中去除受离子布植之部分该第一遮罩层的步骤系利用一湿蚀刻制程。9.如申请专利范围第8项所述之制作方法,其中该湿蚀刻制程系利用稀释氢氟酸(DHF)或缓冲氢氟酸(DHF)当作蚀刻液。10.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该基底系为矽基底。11.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该导电层系为多晶矽层。图式简单说明:第1图至第3图为习知一深沟渠制作方法之示意图。第4图至第8图为本发明之深沟渠制作方法之示意图。