| 主权项 |
1.一种形成单侧导体层的方法,包含:提供一基材,该基材具有一开口,该开口暴露出一侧壁及一开口底表面;形成一单侧矽层于该开口内,该单侧矽层邻接该侧壁且暴露出该开口底表面之一部份;植入含氟离子于该单侧矽层内;以及热氧化该基材及该单侧矽层,以形成一热氧化层于该开口内。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基材为一矽基材。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该单侧矽层之步骤包含:沉积一矽层于该开口内;去除该矽层之一部分,以形成一凹处;沉积一介电层于该凹处;形成一共形多晶矽层于该介电层上;离子植入该共形多晶矽层之一部分,以形成一植入多晶矽层及保留、一未植入多晶矽层;去除该未植入多晶矽层及其下之该介电层;以介电层为罩幕,去除该植入多晶矽层及该矽层;以及去除该介电层,以形成该单侧矽层。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该植入含氟离子之步骤包含植入氟离子或氟化硼离子(BF2+)。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该含氟离子浓度约1x1013~1x1016 ions/cm2。6.如申请专利范围第1所述之方法,其中该植入含氟离子之步骤包含于一植入角度约10至30进行。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该植入含氟离子之步骤包含于一能量约5至20KeV进行。8.一种形成具有单侧导体层之半导体元件的方法,包含:提供一半导体基材,该半导体基材具有一垫介电层于其上、一储存节点及一开口蚀刻于其中,该开口暴露出一侧壁及该储存节点之一表面;沉积一矽层于该开口内;去除该矽层之一部分,以形成一凹处;沉积一介电层于该凹处;形成一共形多晶矽层于该介电层上;离子植入该共形多晶矽层之一部分,以形成一植入多晶矽层及保留一未植入多晶矽层;以该植入多晶矽层为罩幕,去除该未植入多晶矽层及该介电层之一部分;以该介电层为罩幕,去除该植入多晶矽层及该矽层之一部分;去除该介电层;植入含氟离子于该矽层内;以及热氧化该半导体基材及该矽层,以形成一热氧化层于该开口内。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该植入含氟离子之步骤包含植入氟离子或氟化硼离子(BF2+)。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该含氟离子浓度约1x1013 ~ 1x1016 ions/cm2。11.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该植入含氟离子之步骤包含于一植入角度约10至30进行。12.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该植入含氟离子之步骤包含于一能量约5至20KeV进行。图式简单说明:图1-6系应用本发明形成单侧导体层之方法制作半导体元件的剖面示意图。 |
