| 主权项 |
1.一种镀通孔之无甲醛电解厚铜制程,其系将印刷电路板导通孔内壁镀上一层金属铜,其主要步骤系至少包括:将印刷电路板钻孔后,加入一试剂,以调整孔壁上紊乱之电荷至均匀一致之电荷排列;使用一硫酸/双氧水、一过硫酸钠或一过硫酸铵等溶液,轻微溶蚀该印刷电路板表面以增加粗糙度;将该印刷电路板预先浸泡于含一氯化钠及一氯化亚锡之酸液中;加入一胶体触媒活化剂于导通孔之孔壁上;将孔壁上之原子清除,只留下钯原子或铜原子之其中之一者;将含硫原子化合物固着于孔壁上之钯原子或铜原子之上,以增加孔壁之导电性;以及将被覆性优良的镀铜液镀于孔壁上。2.如申请专利范围第1项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中加入之试剂系为一均化剂。3.如申请专利范围第2项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中该均化剂之浓度为0.01-10% V/V。4.如申请专利范围第1项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中该加入之试剂之步骤时,其操作温度系为15-60℃,操作时间1-5分钟。5.如申请专利范围第1项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中该硫酸其浓度为1-10% V/V。6.如申请专利范围第1项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中该双氧水其浓度为5-10% V/V。7.如申请专利范围第1项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中该加入之胶体触媒活化剂其系选自锡钯或锡铜之混合金属原子胶体。8.如申请专利范围第1项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中该加入之胶体触媒活化剂系为一钯盐或铜盐。9.如申请专利范围第1项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中该钯盐或铜盐其总浓度系为10-600 ppm/l。10.如申请专利范围第1项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中该加入之胶体触媒活化剂系为一锡盐。11.如申请专利范围第1项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中该锡盐系为0.6-30 g/l。12.如申请专利范围第1项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中该加入之胶体触媒活化剂之步骤,其操作温度为20-50℃,时间为1-9分钟。13.如申请专利范围第1项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中将孔壁上之原子清除之步骤中,其系使用一氟硼酸及硫酸混合溶液以清除其他原子。14.如申请专利范围第13项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中该氟硼酸及硫酸混合溶液之总浓度为0.1-20% V/V。15.如申请专利范围第1项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中将孔壁上之原子清除之步骤中,其操作条件系于室温下,1-5分钟。16.如申请专利范围第1项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中该含硫原子化合物之浓度为0.1-20% V/V。17.如申请专利范围第1项所述之无甲醛电解厚铜制程,将含硫原子化合物固着于孔壁上之钯原子或铜原子之上之步骤中,其操作条件系于室温下,1-5分钟。18.如申请专利范围第1项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中将被覆性优良的镀铜液镀于孔壁上之步骤中,系以一电解方式将其金属铜镀于孔壁之上。19.如申请专利范围第1项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中该镀铜液系包含有硫酸、硫酸铜及氯离子。20.如申请专利范围第19项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中该硫酸之浓度为8-15% V/V。21.如申请专利范围第19项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中该硫酸铜之浓度为60-100 g/l。22.如申请专利范围第19项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中该氯离子之浓度为30-120 ppm/l。23.如申请专利范围第1项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中将被覆性优良的镀铜液镀于孔壁上之步骤中,其操作条件系于室温下,电流0.5-4 ASD,时间为2-30分钟。24.如申请专利范围第1项所述之无甲醛电解厚铜制程,其中该氯化钠之浓度为10-300 g/l及氯化亚锡之浓度为1-100 g/l。图式简单说明:第一图:其系为习知之镀通孔制程之流程图;以及第二图:其系为本发明之一较佳实施例之制程流程图。 |
