掺杂复晶矽的蚀刻方法、蚀刻后的掺杂复晶矽层、以及包括该蚀刻后的掺杂复晶矽层的闸极

摘要

本发明揭示一种掺杂复晶矽的蚀刻方法、蚀刻后的掺杂复晶矽层、以及由上述蚀刻后的掺杂复晶矽层所构成的闸极，提供下列步骤：提供一半导体基材，上述半导体基材的一表面上依次形成有一氧化层、一掺杂复晶矽层、与遮蔽部分上述掺杂复晶矽层的一罩幕层；以及利用一含C2F6的气体蚀刻未被上述罩幕层遮蔽之上述掺杂复晶矽层；最后形成一具有均匀的线宽、大体上垂直的外观轮廓、且不具有宽度颈缩(necking)缺陷的蚀刻后的掺杂复晶矽层、以及包括由上述蚀刻后的掺杂复晶矽层的闸极。