以-二酮络做为配位基之金属错合物,申请号TW094108041-传众专利搜索

发明名称	以-二酮络做为配位基之金属错合物
摘要	本发明之课题系提供可适合用于藉由CVD法制造含金属薄膜之金属错合物及含金属薄膜的制造方法。其解决手段系使用具有烷氧基烷基甲基的β－二酮络做为配位基之金属错合物、及使用此金属错合物藉由CVD法制造含金属薄膜之方法。094108041-p01.bmp
申请公布号	TW200535138	申请公布日期	2005.11.01
申请号	TW094108041	申请日期	2005.03.15
申请人	宇部兴产股份有限公司	发明人	角田巧;长谷川千寻;绵贯耕平;樱井弘之;金户宏树
分类号	C07F3/00;C07F5/00;C07F7/00;C07C49/175;C07C49/84	主分类号	C07F3/00
代理机构		代理人	林志刚
主权项
地址	日本