基底接触物、半导体晶片、及其制造方法

摘要

本发明系关于一种基底接触物、半导体晶片、及其制造方法。一形成一半导体基底上之半导体晶片，包括环绕一积体电路区外部之一密封环区，本发明之基底接触物包括：一接触沟槽，延伸通过一浅沟槽隔离区以及一覆盖该基底之绝缘物且位于该积体电路区之外，该接触沟槽大体填入有一导电材料，使得该基底电性连结于该密封环区之一金属内连物。