低温高导电膜层之方法与结构

摘要

本发明系为一种低温高导电膜层之方法与结构，该方法系在一基板上制作一低温高导电膜之方法，该方法包括形成复数个片状金属层于该基板上，加入复数个球状奈米级金属微粒子于片状金属层间，及加入复数个混合金属前驱物于该复数个片状金属层之间。本发明亦提供一结构，该结构系包括一基板，一主架构层，该主架构层系形成于该基板上，该主架构层由复数个片状金属及复数个奈米级球状金属微粒子所组合而成，及一网状连续物，系设置于该主架构层内，该网状连续物系由无机盐类及金属前驱物所组成。应用本发明之方法及结构，可创作出一种低温即可成近纯金属导电率的机构，使应用于一般有机基板或其他材质的基板，在低处理温度下，具有高导电率的电极材料。

主权项

1.一种低温高导电膜层之结构,系包括: 一基板; 一主架构层,该主架构层系形成于该基板上,该主 架构层由不同宽高比(aspect ratio)之该复数个片状 金属及不同直径之复数个球状金属微粒子进行配 向混合比例而成;及 一网状连续物,系设置于该主架构层内,该网状连 续物系由复数个无机盐类及复数个金属前驱物所 组成。 2.如申请专利范围第1项所述之低温高导电膜层之 结构,其中该复数个片状金属系当该宽高比(aspect ratio)大于5而小于20之间値时所获得者。 3.如申请专利范围第1项所述之低温高导电膜层之 结构,其中该复数个片状金属混合比例为60~80wt%。 4.如申请专利范围第1项所述之低温高导电膜层之 结构,其中该复数个球状金属微粒子系当直径小于 0.2m値时所获得者。 5.如申请专利范围第1项所述之低温高导电膜层之 结构,其中该复数个球状金属微粒子相对于片状金 属之混合比例为30~60wt%。 6.如申请专利范围第1项所述之低温高导电膜层之 结构,其中该复数个片状金属之材料系可为铜(Cu) 、铂(Pt)、镍(Ni)、银(Ag)或金(Au)。 7.如申请专利范围第1项所述之低温高导电膜层之 结构,其中该复数个金属前驱物系为混合型金属前 驱物。 8.如申请专利范围第7项所述之低温高导电膜层之 结构,其中该金属前驱物之热分解温度范围介于150 ℃~300℃。 9.如申请专利范围第7项所述之低温高导电膜层之 结构,其中该金属前驱物之混合材料比例如下: (a)5~35wt%之无机(相对于有机酸盐),其热分解温度小 于200℃。 (b)20~50wt%之有机酸盐(相对于片状金属),其热分解 温度介于200℃~300℃。 10.如申请专利范围第7项所述之低温高导电膜层之 结构,其中该无机盐系为草酸盐。 11.如申请专利范围第7项所述之低温高导电膜层之 结构,其中该有机酸盐系为二乙基己酸银。 图式简单说明: 第一图系为本发明之低温高导电膜层之方法与结 构; 第二图系为本发明之放热效应对温度曲线图;及 第三图系为本发明之最佳混合型金属前驱物之组 成比例表。