| 主权项 |
1.一种抗还原性介电陶瓷组合物,其包括金属元素M (M:Ca,或Ca及Sr),Zr及Ti,当由一化学式(Ca1-x Srx)m-(Zr1- yTiy)O3所示时,其x,y及m之数値满足下列范围: 0≦x<0.5 0.60<y≦0.85 0.85<m<1.30 以便形成一主要组份,且每100莫耳之主要组份系与 做为副组份之锰化合物及镁化合物中之至少一者 相混合,其含量以MnO及MgO为准为0.1至6莫耳。 2.如申请专利范围第1项之抗还原性介电陶瓷组合 物,其中该组合物另含有一烧结助剂。 3.如申请专利范围第2项之抗还原性介电陶瓷组合 物,其中该助剂含有Si及B之至少一者。 4.如申请专利范围第2项之抗还原性介电陶瓷组合 物,其中该助剂为SiO2。 5.如申请专利范围第2项之抗还原性介电陶瓷组合 物,其中该助剂为Li2O-(Si, Ti)O2-MO系(其中MO系Al2O3及 ZrO2)。 6.如申请专利范围第2项之抗还原性介电陶瓷组合 物,其中该助剂为SiO2-TiO2-XO系(其中XO系选自由BaO, SrO,CaO,MgO,ZnO及MnO所构成之群组之至少一个物质)。 7.如申请专利范围第6项之抗还原性介电陶瓷组合 物,其中该助剂为选自Al2O3及ZrO2之至少一个。 8.如申请专利范围第2项之抗还原性介电陶瓷组合 物,其中该助剂为Li2O-B2O3-(Si, Ti)O2系。 9.如申请专利范围第8项之抗还原性介电陶瓷组合 物,其中该助剂包含选自Al2O3及ZrO2之至少一个物质 。 10.如申请专利范围第2项之抗还原性介电陶瓷组合 物,其中该助剂为B2O3-Al2O3-XO系(其中XO系选自由BaO, SrO,CaO,MgO,ZnO及MnO所构成之群组之至少一个物质)。 11.如申请专利范围第2至10项中任一项之抗还原性 介电陶瓷组合物,在其中该助剂之含量为以全部主 要组份及副组份中之按重量计100份为准之按重量 计20份以下。 12.一单石陶瓷电容器,其包括多个介电陶瓷层,介 电陶瓷层间所形成之内部电极,与内部电极相电气 连接之外部电极,其特征在于该等介电陶瓷层皆由 根据申请专利范围第1至11项中任一项所述之介电 陶瓷组合物制成,每个内部电极则含有一基础金属 作为其主要组份。 13.如申请专利范围第12项之单石陶瓷容器,其中该 基础金属为镍或铜。 图式简单说明: 图1系显示一根据本发明之单石陶瓷电容器之一横 断面图。 图2系一根据本发明之陶瓷生片之一平面图。 |
