使用于遮罩唯读记忆体(ROM)胞阵列之自行对准金属矽化物制程

摘要

本发明揭示一种使用于遮罩唯读记忆体胞阵列之自行对准金属矽化物方法，其系在一基板上形成由多条字元线及多条位元线所构成之多晶矽闸极部分，并且在多晶矽闸极部分的两侧形成有间隙壁，此方法之特征在于包含步骤：形成一自行对准金属矽化物块(SAB)氧化物层以便覆盖于一记忆体胞上；形成一光阻层于该等字元线之间，且该光阻层的厚度超过该等字元线的厚度；以光阻层为遮罩，去除SAB氧化物层；以及形成一自行对准金属矽化物于多晶矽闸极部分上，藉此，在间隙壁蚀刻覆盖有氧化物的沟槽之后，能够防止自行对准金属矽化物形成，因此，得以避免所埋入之N＋位元线的短路问题发生。