| 主权项 |
1.一种监控低温快速热退火制程的方法,包括下列步骤:提供一晶圆;于该晶圆上依序形成一非晶质矽层,与一金属层;对该晶圆进行一低温快速退火制程,以形成一金属矽化物层;以及对该晶圆进行一蚀刻制程,以移除未反应之该金属层后,量测该金属矽化物层之电阻値,由电阻値的变化即可得知低温快速热退火制程的效果。2.如申请专利范围第1项所述之监控低温快速热退火制程的方法,其中该金属层之材质为钛。3.如申请专利范围第2项所述之监控低温快速热退火制程的方法,其中该低温快速退火制程之制程温度为450℃~650℃。4.如申请专利范围第1项所述之监控低温快速热退火制程的方法,其中该金属矽化物层为C49晶相。5.如申请专利范围第1项所述之监控低温快速热退火制程的方法,其中该非晶质矽层系利用低温化学气相沉积(LPCVD)所制得。6.如申请专利范围第1项所述之监控低温快速热退火制程的方法,其中该非晶质矽层系利用离子植入法所制得。7.如申请专利范围第1项所述之监控低温快速热退火制程的方法,其中在形成该非晶质矽层前,更可先形成一保护层于该晶圆上。8.如申请专利范围第7项所述之监控低温快速热退火制程的方法,其中该保护层之材质可以为氮化矽。9.如申请专利范围第1项所述之监控低温快速热退火制程的方法,其中该晶圆系可为一控片。图式简单说明:第一图至第三图系为本发明之监控低温快速热退火制程的方法示意图。第四图系为本发明之监控低温快速热退火制程的方法的另一实施态样示意图。 |
