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发明名称 Inter metal dielectric layer of semiconductor device and method of fabricating thereof
摘要
申请公布号 KR100524917(B1) 申请公布日期 2005.10.31
申请号 KR19990002590 申请日期 1999.01.27
申请人 发明人
分类号 H01L21/283;(IPC1-7):H01L21/283 主分类号 H01L21/283
代理机构 代理人
主权项
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