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发明名称 A METHOD TO FORM A VERTICAL TRANSISTOR BY SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH AND DELTA DOPED SILICON LAYERS
摘要
申请公布号 SG115445(A1) 申请公布日期 2005.10.28
申请号 SG20020000347 申请日期 2002.01.21
申请人 CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, LTD 发明人 JAMES YONG MENG LEE;YING KEUNG LEUNG;YELEHANKA RAMACHANDRAMURTHY PRADEEP;JIA ZHEN ZHENG;LAP CHAN;ELGIN QUEK;RAVI SUNDARESAN;YANG PAN
分类号 H01L21/336;H01L29/36;H01L29/78;(IPC1-7):H01L 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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