Schutzdiode zum Schutz von Halbleiterschaltkreisen gegen elektrostatische Entladungen

摘要

Der Erfindung, die eine Anordnung einer Schutzdiode zum Schutz von Halbleiterschaltkreisen gegen elektrostatische Entladungen betrifft, liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung zu schaffen, mit der ein verbesserter ESD-Schutz mit einer optimalen Chipflächennutzung und einem verbesserten Latch-up-Verhalten erreicht wird. Gemäß der Erfindung wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass die Planardiode aus einer ersten inselförmigen Elektrode besteht, die von einer zweiten Elektrode umschlossen wird, und dass die Kontakte der ersten Elektrode mit einer ersten Metallebene und die Kontakte der zweiten Elektrode mit einer darüber liegenden zweiten Metallebene kontaktiert sind.