Halbleiterdiode und IGBT

摘要

Eine Halbleiterdiode (1, 1') weist eine Anode (2), eine Kathode (3) und ein zwischen Anode (2) und Kathode (3) vorgesehenes Halbleitervolumen (7) auf. In dem Halbleitervolumen (7) sind mehrere Halbleiterzonen (8¶1¶ bis 8¶4¶) ausgebildet, die gegenüber ihrer unmittelbaren Umgebung invers dotiert, voneinander beabstandet und in der Nähe der Kathode (3) vorgesehen sind. Die Halbleiterzonen sind gegenüber der Kathode (3) beabstandet.