发明名称 PARTIALLY OXIDISED MACROPOROUS SILICON COMPRISING DISCONTINUOUS SILICON WALLS
摘要 <p>Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung, umfassend ein flächig ausgebildetes makroporöses Trägermaterial auf Silizium-Basis, das über mindestens einen Oberflächenbereich verteilt eine Vielzahl von Poren mit einem Durchmesser im Bereich von 500 nm bis 100 µm aufweist, welche sich von einer Oberfläche (10A) zur gegenüberliegenden Oberfläche (10B) des Trägermaterials durchgängig erstrecken, wobei die Vorrichtung zwei oder mehrere Bereiche (11A) aufweist, die jeweils mehrere Poren mit Porenwänden aus Si02 umfassen, und wobei diese Bereiche jeweils von einem zu den Längsachsen der Poren im wesentlichen parallel angeordneten, zu den Oberflächen (10A, 10B) hin offenen Rahmen bzw. Kasten (12) aus Wänden mit einem Siliziumkern (12A) umgeben ist, wobei der Kern aus Silizium über den Querschnitt zur Außenseite der den Rahmen bildenden Wände hin in Siliziumdioxid übergeht, und wobei jeder einzelne Rahmen (12) innerhalb der Gesamtheit aller Rahmen aus Wänden mit einem Siliziumkern (12A) vollständig von den ihn umgebenden Rahmen räumlich isoliert ist, sowie ein verfahren zu deren Herstellung. Die erfindungsgemäße Vorrichtung eignet sich als Basis für ein "BioChip-Grundmodul" in Verfahren zum Nachweis biochemischer (Bindungs)Reaktionen sowie hierfür insbesondere zur Untersuchung von enzymatischen Reaktionen, Nukleinsäure-­Hybridisierungen, Protein-Protein-Wechselwirkungen und anderer Bindungsreaktionen im Bereich der Genom-, Proteom­oder Wirkstoff-Forschung in Biologie und Medizin.</p>
申请公布号 WO2005100994(A1) 申请公布日期 2005.10.27
申请号 WO2005EP02390 申请日期 2005.03.07
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;DERTINGER, STEPHAN;KLUEHR, MARCO 发明人 DERTINGER, STEPHAN;KLUEHR, MARCO
分类号 B01L3/00;G01N33/543;G02B1/10;H01L21/306;H01L21/762;(IPC1-7):G01N33/543;G02B6/12 主分类号 B01L3/00
代理机构 代理人
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