纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要

纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管是功率半导体器件制造技术。结合紫外线曝光的半导体技术工艺，用纳米线碳化硅构造碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管具有耐高温、耐苛刻环境、耐高电压和低导通电阻等一系列特点，广泛用于电力电子及通信工程领域。

主权项

1.采用纳米线碳化硅制造金属氧化物半导体场效应晶体管，纳米线碳化硅是指直径在0.5-500nm范围内的碳化硅线、纤维、晶须、柱状碳化硅晶体，且具有立方或六角多型结晶构造。