具局部源极/漏极绝缘场效晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有局部源极/漏极绝缘的场效晶体管，以及一种相关的制造方法，其中，一源极凹陷(SV)以及一源极凹陷(DV)乃于一半导体基板(1)中彼此间隔的方式形成，一凹陷绝缘层(VI)乃至少会形成于该等源极以及漏极凹陷(SV，DV)的一底部区域中，以及一导电填充层(F)，其用于实现源极以及漏极区域(S，D)并填满该等源极以及漏极凹陷(SV，DV)。并且，伴随者一栅极介电质(3)以及一栅极层(4)而具有降低的接面电容的场效晶体管乃可由所述方法中获得。

主权项

1.一种具有局部源极-漏极绝缘的场效晶体管，具有：一半导体基板(1)；一源极凹陷(SV)以及一漏极凹陷(DV)，其以彼此间隔的方式在该半导体基板(1)中形成；一凹陷绝缘层(VI)，其至少形成于该源极凹陷(SV)以及该漏极凹陷(DV)的一底部区域中；一导电填充层(F)，其形成以便用于实现源极以及漏极区域(S，D)，以及用于填充位在该凹陷绝缘层(VI)之表面的该等源极以及漏极凹陷(SV，DV)；一栅极介电质(3)，其形成于位在该等源极以及漏极凹陷(SV，DV)之间的该基板表面(SO)；以及一栅极层(4)，其形成于该栅极介电质(3)的表面。