发明名称 | 恒电阻率薄膜材料及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种恒电阻率薄膜材料Cu<SUB>3</SUB>NPd<SUB>x</SUB>及其磁控溅射法的制备方法,其中0.13<X<0.24,所用的靶材为纯度均为不低于99.9%的铜靶和钯靶,氮气作为反应气体,通过调节两者所占靶材面积来剪裁所沉积薄膜中钯的含量。Cu<SUB>3</SUB>NPd<SUB>x</SUB>薄膜材料的电阻率在5K~250K温度范围内相对变化<1.0%,也就是说电阻率温度系数几乎为零。这种材料制造的电阻元器件在5K~250K温度变化的环境中使用,有较好的稳定性,因而更加可靠。更为重要的是,这种恒电阻率材料与合金恒电阻率材料有着完全不同的物理机制。 | ||
申请公布号 | CN1687994A | 申请公布日期 | 2005.10.26 |
申请号 | CN200510075059.8 | 申请日期 | 2005.06.08 |
申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 曹则贤;纪爱玲;马利波;杜允 |
分类号 | H01B1/02;H01C7/00;H01C17/12 | 主分类号 | H01B1/02 |
代理机构 | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 尹振启 |
主权项 | 1、一种恒电阻率薄膜材料,其特征在于,所述恒电阻率薄膜材料的分子式为Cu3NPdx,其中,0.13<X<0.24。 | ||
地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 |