| 发明名称 | 以Ge－B共掺直拉硅片作为衬底的P/P<SUP>+</SUP>硅外延片 | ||
| 摘要 | 本发明的以Ge－B共掺的直拉硅片作为衬底的P/P<SUP>+</SUP>硅外延片，其衬底中硼的浓度为3×10<SUP>18</SUP>～1×10<SUP>20</SUP>/cm<SUP>3</SUP>，Ge的浓度为1×10<SUP>19</SUP>～1×10<SUP>21</SUP>/cm<SUP>3</SUP>，在衬底上生长的硅外延层的厚度为0.5～150微米，电阻率在1～100欧姆厘米。本发明的硅外延片在重掺硼衬底直拉硅片中掺入适量的半径比Si原子大的Ge原子，可以减少衬底硅片中的晶格畸变，从而有效地消除了P/P<SUP>+</SUP>硅外延片中的失配位错。 | ||
| 申请公布号 | CN1688015A | 申请公布日期 | 2005.10.26 |
| 申请号 | CN200510050218.9 | 申请日期 | 2005.04.11 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 杨德仁;马向阳;田达晰;江慧华;李立本;阙端麟 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/02;C30B29/02;C30B29/08 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1.以Ge-B共掺的直拉硅片作为衬底的P/P+硅外延片，其特征是衬底中硼的浓度为3×1018～1×1020/cm3，Ge的浓度为1×1019～1×1021/cm3，在衬底上生长的硅外延层的厚度为0.5～150微米，电阻率在1～100欧姆厘米。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||