发明名称 DOSIMETRO MOS DE BORRADO ELECTRICO, METODO DE PREPARACION Y METODO DE UTILIZACION
摘要 Dosímetro MOS de borrado eléctrico, método de preparación y método de utilización. Se utiliza la posibilidad de modificar la carga del aislante de la estructura MOS mediante la inyección de carga desde los electrodos para cancelar las modificaciones de carga debidas a la exposición a la radiación ionizante. Inyecciones de ...Coul/cm2, a campos de ... MV/cm son adecuadas para establecer el nivel de carga de referencia (inicialización y borrado) en dosímetros de transistores MOS de canal p. Dosímetros de lectura directa y continua para monitoreo de radiación ionizante en plantas nucleares, radioterapia, aplicaciones espaciales, monitoreo de medio ambiente. La estructura MOS usada como sensor, no requiere ser un transmisor, sino que puede ser un simple capacitor. La magnitud sensada puede ser una tensión a corriente constante, como la presentada, pero también puede ser una tensión a capacidad constante, o bien sensar corrientes o capacidades. Un transmisor MOS como en Fig. 4, pasivado mediante inyección de una carga de 0,1 Coul/cm2, se inicializa inyectándole 0,001 Coul/cm2 a un campo inferior al de pasivado. El dosímetro está preparado para la medición como otros dosímetros MOS. Se borra o reinicializa mediante la inyección de inicialización.
申请公布号 AR045294(A1) 申请公布日期 2005.10.26
申请号 AR2002P100113 申请日期 2002.01.14
申请人 CONSEJO NACIONAL DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS YTECNICAS (C.O.N.I.C.E.T.) 发明人 FAIGON, ADRIAN
分类号 (IPC1-7):G01T1/142 主分类号 (IPC1-7):G01T1/142
代理机构 代理人
主权项
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