移动正离子污染的测试装置及方法

摘要

一种移动正离子污染(PMIC)的测量装置，设置于半导体基底上。半导体基底上设置有MOS晶体管。移动正离子污染的测量装置则是由加热装置、温度测量装置、栅极所构成。加热装置是设置在等场氧化层的表面。温度测量装置是设置在加热装置的表面，以测量的温度作为调整的依据。栅极是设置在加热装置的上方。其中，加热装置可以是多晶硅层；温度测量装置可以是Kelvin结构的铝线；外接电流计则可以在各种条件下测量半导体基底的电荷抽运电流，藉以推得移动正离子污染的数量。

主权项

1.一种移动正离子污染的测量装置，其特征在于：该测量装置设置于一半导体基底上，该半导体基底是以场氧化层定义一有源区域，该有源区域中则设置一MOS晶体管，包括：一多晶硅加热装置，设置于该场氧化层的表面以加热该半导体基底；一Kelvin结构的金属绕线，设置于该多晶硅加热装置的表面以测量该半导体基底的温度，进而作为调整的依据；一栅极，设置于该MOS晶体管的上方以施加偏压；以及一介电层，介于该栅极与该MOS晶体管之间。