具有提高的调谐范围的微机电可变电抗器

摘要

描述了三维微机电(MEM)可变电抗器，其中在彼此耦合的分离衬底上分别制造可移动梁(50)和固定电极(51)。在“芯片侧”上制造具有梳状驱动电极的可移动梁而在分离的衬底的“载体侧”上制造固定底部电极。在衬底两个表面上制造该器件时，芯片侧器件被切割并“翻转”、对准且连接至“载体”衬底以形成最终器件。梳状驱动(鳍)电极用于激励而电极的运动提供电容的变化。由于引入恒定驱动力，可获得大的电容调谐范围。器件的三维方面有利于大的表面积。当提供大纵横比特征时可使用低激励电压。制造时，完全封装MEM器件，无需附加的器件封装。另外，由于在晶片级完成对准和键合(晶片级MEMS封装)，可以低成本获得改善的器件产率。

主权项

1.一种半导体微机电可变电抗器，包括：具有可移动梁的第一衬底，所述可移动梁至少在所述可移动梁的一端锚定于所述第一衬底，所述可移动梁具有在与所述第一衬底相反的方向上从其突出的分立的鳍；以及耦合到所述第一衬底的具有固定电极的第二衬底，每个所述固定电极分别面对所述分立的鳍之一，所述分立的鳍被突出的鳍和所述固定电极之间的电压所激励。