发明名称 四极结构场发射显示器之网罩制造方法
摘要 本发明系有关一种四极结构场发射显示器之网罩制造方法,该网罩系具有收敛电极层、绝缘层及闸极层等三层结构之独立板体,系以一种具复数透孔之金属导电板做为基板,并以其做为收敛电极层,该导电板之一侧以一种网印并结合微影制程方式先布设一绝缘层,另于该绝缘层之外侧面制作一闸极层。
申请公布号 TWI242386 申请公布日期 2005.10.21
申请号 TW093106976 申请日期 2004.03.16
申请人 东元奈米应材股份有限公司 发明人 李协恒;郑奎文
分类号 H05B33/00 主分类号 H05B33/00
代理机构 代理人 谢佩玲 台北市大安区罗斯福路2段107号12楼
主权项 1.一种四极结构场发射显示器之网罩制造方法,该网罩系置于阴极基板与阳极基板之间,具有收敛电极层、绝缘层及闸极层等三层结构,该方法系包括:a.将软性绝缘材料涂覆于一平面胶膜上,形成一涂层;b.将一具复数第一透孔之金属导电板置于该涂层上,并压合(laminate)该金属导电板,俾使前述涂层之绝缘材料填塞于金属导电板之第一透孔内,即以该金属导电板做为收敛电极层;c.将步骤b所完成之板体加以烘烤后,移除胶膜;d.于被移除胶膜之一侧,布设一层与步骤a相同之涂层,以形成绝缘层;e.进行烧结程序,使浆料固化成膜体;f.于前述膜体外侧设置闸极层,并使该闸极层之复数第三透孔正对应于金属导电板之第一透孔,该闸极层系为一种感光型金属材料;g.将步骤f所完成之半成品施以第二烧结,以使闸极层固着于绝缘层上;h.于闸极层之外侧与收敛电极层外侧,分别制作一保护层,该二保护层之复数透孔系分别对应收敛电极层之第一透孔与闸极层之第三透孔;i.以蚀刻制程移除收敛电极层之第一透孔内之填充物,并将绝缘对应于该第一透孔处之玻璃胶蚀刻形成第二透孔,以使收敛电极层之第一透孔、绝缘层之第二透孔与闸极层之第三透孔对应形成一连续相通之透孔;j.剥离前述之保护层。2.如申请专利范围第1项所述之网罩制造方法,其中该步骤a中之软性绝缘材料系为玻璃胶或二氧化矽胶。3.如申请专利范围第2项所述之网罩制造方法,其中该玻璃胶系为美国Dupond公司之DG001玻璃胶涂料。4.如申请专利范围第1项所述之网罩制造方法,其中该步骤a中之绝缘材料系以非接触式(free contact)涂料装置涂覆于胶膜上。5.如申请专利范围第1项所述之网罩制造方法,其中步骤a中之涂覆于胶膜上之绝缘材料系具有均匀厚度。6.如申请专利范围第1项所述之网罩制造方法,其中该步骤a中之金属导电板系为一种膨胀系数与阴阳极基板近似之金属材料。7.如申请专利范围第6项所述之网罩制造方法,其中该金属导电板系为铁镍合金。8.如申请专利范围第1项所述之网罩制造方法,其中步骤b中之金属导电板该以一压合设备予以压合。9.如申请专利范围第1项所述之网罩制造方法,其中步骤c中之烘烤系低温者。10.如申请专利范围第1项所述之网罩制造方法,其中步骤d中之涂层系以非接触式涂料装置或以一满版无图腾之印刷方式进行涂覆或印制之布设。11.如申请专利范围第1项所述之网罩制造方法,其中步骤f中之闸极层系以网印或微影制程图腾化制作。12.如申请专利范围第1项所述之网罩制造方法,其中步骤f中之闸极层系为感光型银胶。13.如申请专利范围第12项所述之网罩制造方法,其中该感光型银胶,系为美国Dupond公司之DC206。14.如申请专利范围第13项所述之网罩制造方法,其中之感光型银胶系以黄光微影制作,并以低浓度之碳酸钠水溶液做为显像液。15.如申请专利范围第1项所述之网罩制造方法,其中步骤h中之保护层系以网印或微影制程图腾化制作。16.如申请专利范围第1项所述之网罩制造方法,其中步骤h中之保护层系为负型光阻乾膜(dry film withnegative type photoresist),以低浓度之碳酸钠水溶液进行显影。17.如申请专利范围第1项所述之网罩制造方法,其中步骤h中之蚀刻系采用低浓度之硝酸进行。18.如申请专利范围第1项所述之网罩制造方法,其中步骤j系采用低浓度之氢氧化钠水溶液以剥除保护层。图式简单说明:第一图:习知三极结构之场发射显示器之局部剖视图。第二图:习知四极结构之场发射显示器之局部剖视图。第三图:习知四极结构之场发射显示器之另一种网罩局部剖视图。第四图:本发明之第一步骤示意图。第五图:本发明之第二步骤示意图。第六图:本发明之第四步骤示意图。第七图:本发明之第七步骤示意图。第八图:本发明之第八步骤示意图。第九图:本发明之第九步骤示意图。第十图:本发明之第十步骤示意图。
地址 桃园县观音乡中山路1段1560号