发明名称 用于光阻剂之清洁溶液及使用该溶液形成图案之方法
摘要 本发明揭示一种光阻剂之清洁溶液,其可用于形成光阻剂图案之显影最终步骤中清洁半导体基材。又,揭示一种使用该溶液形成光阻剂图案之方法。所揭示之清洁溶液包括H2O作为溶液、式1所示之磷酸盐-醇胺盐之界面活性剂、及醇化合物。所揭示之清洁溶液比用于知清洁溶液之蒸馏水具有更低之表面张力,因而可改善对光阻剂图案坍塌之抗性并可稳定形成光阻剂图案。式1其中R、x、y、z、a及b如说明书中定义。
申请公布号 TWI242115 申请公布日期 2005.10.21
申请号 TW092134395 申请日期 2003.12.05
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 李根守;卜圭;黄永善;李晟求;文承灿;申起秀
分类号 G03F7/30 主分类号 G03F7/30
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种光阻剂图案之清洁溶液,包括:H2O作为溶剂;及下式1所示之化合物作为界面活性剂:其中R为C2-C20烷基或C6-C25烷基芳基;x、y及z独立为0至10之整数;a为2或3;及b为2至50之整数。2.如申请专利范围第1项之清洁溶液,其中b为6至11之整数。3.如申请专利范围第1项之清洁溶液,又包括醇。4.如申请专利范围第1项之清洁溶液,其中该式1化合物之存在量为该溶液总重之0.001至2重量%。5.如申请专利范围第3项之清洁溶液,其中该醇之存在量为该溶液总重之0至20重量%。6.如申请专利范围第1项之清洁溶液,其中该式1化合物系由式2或式3所示者:其中R为C2-C20烷基或C6-C25烷基芳基;x、y及z独立为0至10之整数;及n为1至49之整数。7.如申请专利范围第6项之清洁溶液,其中该式2化合物之存在量为该溶液总重之0.001至2重量%,及该醇之存在量为该溶液总重之0至20重量%。8.如申请专利范围第6项之清洁溶液,其中该式3化合物之存在量为该溶液总重之0.001至2重量%,及该醇之存在量为该溶液总重之0至10重量%。9.如申请专利范围第7项之清洁溶液,其中该式2化合物之存在量为该溶液总重之0.01至1重量%,及该醇之存在量为该溶液总重之0.01至10重量%。10.如申请专利范围第8项之清洁溶液,其中该式3化合物之存在量为该溶液总重之0.001至1重量%,及该醇之存在量为该溶液总重之0.001至5重量%。11.如申请专利范围第6项之清洁溶液,其中R系选自下列所成之组群:辛基、辛基苯基、壬基、壬基苯基、癸基、癸基苯基、十一烷基、十一烷基苯基、十二烷基及十二烷基苯基,n为5至10之整数。12.如申请专利范围第3项之清洁溶液,其中该醇系选自C1-C10烷基醇、C1-C10烷氧基烷基醇及其混合物所组成之组群。13.如申请专利范围第12项之清洁溶液,其中该C1-C10烷基醇系选自甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、正丁醇、第二丁醇、第三丁醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、2,2-二甲基-1-丙醇及其混合物所组成之组群。14.如申请专利范围第12项之清洁溶液,其中该C1-C10烷氧基烷基醇系选自2-甲氧基乙醇、2-(2-甲氧基乙氧基)乙醇、1-甲氧基-2-丙醇、3-甲氧基-1,2-丙二醇及其混合物所组成之组群。15.如申请专利范围第1项之清洁溶液,其中该溶液系选自下列所组成之组群:包括其中R为壬基,x、y及z分别为1,及n为7之式2化合物作为界面活性剂、甲醇作为醇类及水作为溶剂之混合物;包括其中R为辛基,x、y及z分别为1,及n为7之式2化合物作为界面活性剂、甲醇作为醇类及水作为溶剂之混合物;包括其中R为十二烷基,x、y及z分别为0,及n为7之式2化合物作为界面活性剂、异丙醇作为醇类及水作为溶剂之混合物;包括其中R为辛基苯基,x、y及z分别为1,及n为3之式2化合物作为界面活性剂、异丙醇作为醇类及水作为溶剂之混合物;包括其中R为壬基,x、y及z分别为1,及n为7之式3化合物作为界面活性剂、甲醇作为醇类及水作为溶剂之混合物;包括其中R为辛基,x、y及z分别为1,及n为7之式3化合物作为界面活性剂、甲醇作为醇类及水作为溶剂之混合物;包括其中R为十二烷基,x、y及z分别为0,及n为7之式3化合物作为界面活性剂、异丙醇作为醇类及水作为溶剂之混合物;包括其中R为辛基苯基,x、y及z分别为1,及n为3之式3化合物作为界面活性剂、异丙醇作为醇类及水作为溶剂之混合物。16.如申请专利范围第15项之清洁溶液,其中该式2化合物之存在量为该混合物总重之0.001至2重量%,及该醇之存在量为该混合物总重之0至20重量%。17.如申请专利范围第15项之清洁溶液,其中该式3化合物之存在量为该混合物总重之0.001至2重量%,及该醇之存在量为该混合物总重之0至10重量%。18.如申请专利范围第16项之清洁溶液,其中该式2化合物之存在量为该混合物总重之0.01至1重量%,及该醇之存在量为该泥合物总重之0.01至10重量%。19.如申请专利范围第17项之清洁溶液,其中该式3化合物之存在量为该混合物总重之0.001至1重量%,及该醇之存在量为该混合物总重之0.001至5重量%。20.一种形成光阻剂图案之方法,包括:(a)制备半导体晶圆,其上形成有底层;(b)在该底层上涂布光阻剂而形成光阻剂薄膜;(c)使该光阻剂薄膜曝光;(d)使曝光之光阻剂薄膜显影;及(e)使用如申请专利范围第1项之清洁溶液清洁该所得结构。21.如申请专利范围第20项之方法,又包括在步骤(c)之前之软烘烤步骤或步骤(c)之后之后烘烤步骤。22.如申请专利范围第20项之方法,其中该光源系选自由KrF(248nm)、ArF(193nm)、VUV(157nm)、EUV(13nm)、E-束(电子束)、X-射线及离子束所组成之组群。23.一种犹如申请专利范围第20项之方法所制备之半导体装置。图式简单说明:图1为实例9所得之光阻剂图案之照片。图2为实例10所得之光阻剂图案之照片。图3为实例11所得之光阻剂图案之照片。图4为实例12所得之光阻剂图案之照片。图5为实例13所得之光阻剂图案之照片。图6为实例14所得之光阻剂图案之照片。图7为实例15所得之光阻剂图案之照片。图8为实例16所得之光阻剂图案之照片。图9为比较例2所得之光阻剂图案之照片。
地址 韩国