| 主权项 |
1.一种用于氧化物膜之化学机械抛光(CMP)浆液,其 包含: (i)选自由H2O2、H5IO6、FeNO3及其组合所成之组群之 氧化剂;及 (ii)选自由含硝基(-NO2)之烃化合物、含酯基(-COO-) 之烃化合物、含醚基(-O-)之烃化合物及其组合所 成之组群之复合剂, 其中该CMP浆液具有2~7的pH。 2.如申请专利范围第1项之CMP浆液,其中该CMP浆液具 有2~3的pH。 3.如申请专利范围第1项之CMP浆液,其中该CMP浆液对 氮化物膜:氧化物膜:金属层具有1:1~2:1~3的抛光选 择性。 4.如申请专利范围第1项之CMP浆液,其中该氧化剂存 在量按CMP浆液计,为0.5至10体积%。 5.如申请专利范围第1项之CMP浆液,其中该氧化剂存 在量按CMP浆液计,为2至6体积%。 6.如申请专利范围第1项之CMP浆液,其中该复合剂系 选自下式4至9所成组群: 其中R为支链或直链之经取代C1-C50烷基或芳基。 7.如申请专利范围第1项之CMP浆液,其中该复合剂具 有40至1000的分子量。 8.如申请专利范围第1项之CMP浆液,其中该复合剂存 在量按CMP浆液计,为0.001至5体积%。 9.如申请专利范围第8项之CMP浆液,其中该复合剂存 在量按CMP浆液计,为0.01至1体积%。 10.如申请专利范围第1项之CMP浆液,其中该浆液包 括选自SiO2、CeO2、ZrO2、Al2O3及其组合所成组群之 研磨剂。 11.如申请专利范围第10项之CMP浆液,其中该CMP浆液 包括用量为0.5至30重量%之研磨剂。 12.如申请专利范围第11项之CMP浆液,其中该CMP浆液 包括用量为10至30重量%之研磨剂。 13.一种制造半导体装置的金属线接触栓之方法,其 包括利用如申请专利范围第1项之CMP浆液之CMP制程 。 14.一种制造半导体装置的金属线接触栓的方法,该 方法包括: 在半导体基材上形成位元线的堆叠图案和掩模绝 缘薄膜图案; 在所得结构整个表面上形成中间层绝缘薄膜; 选择性地蚀刻掉中间层绝缘薄膜,以形成金属线接 触孔; 在金属线接触孔侧壁上、位元线堆叠图案上及金 属线接触孔中的掩膜绝缘薄膜上形成氧化物膜隔 离体; 在所得结构整个表面上沈积金属层;及 利用如申请专利范围第1项之CMP浆液进行CMP制程, 以形成金属线接触栓。 15.如申请专利范围第14项之方法,其中该掩模绝缘 薄膜为氮化物膜。 16.如申请专利范围第14项之方法,其中该中间层绝 缘薄膜为氧化物膜。 17.如申请专利范围第14项之方法,其中该金属层系 选自TiN、W、Al、其合金及其组合所成之组群。 图式简单说明: 图1a为形成位元线图案之后的上视图。 图1b为蚀刻金属线接触栓之后的上视图。 图2a至图2d图示地说明制备半导体装置的金属线接 触栓的习知方法。 图3为习知金属线接触栓的CD SEM照片。 图4a为依据本发明形成位元线图案之后的上视图 。 图4b为依据本发明蚀刻金属线接触栓之后的上视 图。 图5a至图5d图示地说明本发明所揭示之制造半导体 装置的金属线接触栓的方法。 图6为本发明的金属线接触栓的CD SEM照片。 图7为说明利用所揭示的CMP浆液抛光掩蔽晶圆( blanket wafer)中的金属、氧化物和氮化物膜时的抛 光速度和选择性的图表。 |
