| 主权项 |
1.一种由实质上等莫耳量之二苯四羧酸单元及苯 二胺单元构成之芳族聚醯亚胺膜,并具有范围在5 至50m之厚度及范围在45至90%之拉伸度,其具有以 下的抗张模数及以Elmendorf撕裂测试仪测量的抗撕 裂性: 抗张模数为50至1,300kg/mm2及抗撕裂性为350至1,500g/mm , 其中二苯四羧酸单元系衍生自2,2,3',4'-二苯四羧酸 或3,3',4,4'-二苯四羧酸之自由酸、卤化物、二酸酐 或酯、及苯二胺单元系衍生自邻-苯二胺、间-苯 二胺或对-苯二胺。 2.如申请专利范围第1项中之芳族聚醯亚胺膜,其中 该聚醯亚胺膜具有5至50m之厚度及高于400℃之玻 璃转移温度。 3.如申请专利范围第1项中之芳族聚醯亚胺膜,其中 该聚醯亚胺膜具有0.002至0.4%之热收缩率。 4.如申请专利范围第1项中之芳族聚醯亚胺膜,其中 该聚醯亚胺膜具有14至25kg/20mm/10m之比边缘抗撕 裂性。 5.如申请专利范围第1项中之芳族聚醯亚胺膜,其中 该聚醯亚胺膜还含有0.1至5重量%之无机填充物。 6.如申请专利范围第1项中之芳族聚醯亚胺膜,其中 该聚醯亚胺膜显现出高于3kV之介电击穿电压。 7.如申请专利范围第1项中之芳族聚醯亚胺膜,其中 该聚醯亚胺膜已藉由铸造聚醯胺溶液得到溶液膜 并加热该溶液膜制成。 8.如申请专利范围第1项中之芳族聚醯亚胺膜,其中 该聚醯亚胺膜已由3,3'4,4'-二苯四羧二酐及对苯二 胺聚合而成之聚醯胺酸制成。 9.一种制备申请专利范围第1项之芳族聚醯亚胺膜 的方法,其包含在无机粉末、咪唑化合物及有机或 无机磷化物存在之下以加热聚醯胺酸,该聚醯胺酸 已藉着实质上等莫耳量之2,3,3',4'-二苯四羧酸或3,3 ',4,4'-二苯四羧酸之自由酸、卤化物、二酸酐或酯 与邻-苯二胺、间-苯二胺或对-苯二胺的反应而制 成。 10.一种包含导电膜及申请专利范围第1项之芳族聚 醯亚胺膜的复合板,其系直接或藉由黏着层黏合彼 此。 11.如申请专利范围第10项中之复合板,其中该导电 膜及芳族聚醯亚胺膜系藉由热塑性或热固性黏着 剂构成之黏着层黏合彼此。 12.如申请专利范围第11项中之复合板,其中该黏着 层由一种选自聚醯亚胺黏着剂、聚醯亚胺-环氧树 脂黏着剂、聚醯亚胺矽氧烷-环氧树脂黏着剂及环 氧树脂黏着剂之黏着剂构成。 |
