| 主权项 |
1.一种用来制造快闪记忆体单元之方法,其包含下 列之步骤: 于半导体基板上,形成一垫氧化物膜以及一垫氮化 物膜; 于半导体基板中,形成一渠沟; 于整个结构上,形成一渠沟绝缘膜,然后执行第一 化学机械研磨(CMP)法,.以隔绝该渠沟绝缘膜; 去除该垫氮化物膜以曝露该渠沟绝缘膜之突出部; 执行离子布植法以掺杂该渠沟绝缘膜之突出部; 执行清洗法以蚀刻该渠沟绝缘膜之突出部具有一 给定之宽度; 于整个结构上,形成一第一多晶矽层,然后执行第 二CMP法以形成隔绝的浮动闸极;及 于整个结构上,形成一介电质膜及一第二多晶矽层 ,然后执行各别的蚀刻法以形成控制闸。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该离子布植法 仅在形成于该垫氧化物膜沿着突出部,插入两者间 的部份执行。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中该垫氧化物膜 用作为护膜,于离子布植法时,用以钝化半导体基 板上之表面。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该离子布植法 之执行,离子布植角度0-80,旋转范围0-360。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该离子布植法 之执行,使用硼,磷,砷其中之一,其所具有之剂量介 于1E10-1E13离子/立方厘米之间,且具2-5仟电子伏特 之低离子布植能量。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该清洗法是湿 式法,使用给定比例混合之HF及NH4OH溶液250-550秒。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中该清洗法是乾 式法,使用HF。 图式简单说明: 图1A至图1K是快闪记忆体单元之剖面图,说明根据 本发明具体实施例之制造快闪记忆体单元之方法 。 |
