| 主权项 |
1.一种半导体基板的热处理治具,是载置于纵型热 处理炉的热处理艇的热处理治具,其特征为,设置: 由矽材料所构成,与前述半导体基板直接接触支撑 的第1治具;及将前述第1治具保持并供被搭载于热 处理艇用的第2治具(支架)。 2.如申请专利范围第1项的半导体基板的热处理治 具,其中,前述第1治具与前述半导体基板直接接触 面积的厚度是0.5mm~10.0mm,表面粗度是0.02m~10.0m, 平坦度是100m以下,前述第2治具与前述第1治具直 接接触面积的厚度是0.5mm ~10.0mm,表面粗度是0.02m ~10.0 m,平坦度是200m以下。 3.如申请专利范围第1项的半导体基板的热处理治 具,其中,前述第1治具与前述半导体基板直接接触 的宽是0.5mm以上。 4.如申请专利范围第2项的半导体基板的热处理治 具,其中,前述第1治具与前述半导体基板直接接触 的宽是0.5mm以上。 5.如申请专利范围第1、2、3或4项的半导体基板的 热处理治具,其中,前述第1治具是在与前述半导体 基板直接接触面积的表面,形成矽碳化物膜、氧化 膜、或是多结晶矽膜的任一种。 6.一种半导体基板的热处理方法,是纵型热处理炉 的热处理艇的热处理方法,其特征为,由:将被载置 于热处理艇的半导体基板的热处理治具,由与前述 半导体基板直接接触支撑的矽材料所构成的第1治 具;及将前述第1治具保持的第2治具(支架),并将被 保持于前述第1治具上的半导体基板热处理。 7.如申请专利范围第6项的半导体基板的热处理方 法,在经热处理的半导体基板发生滑动的情况时, 将与前述第1治具的前述半导体基板直接接触的面 积的对应该滑动的位置,进行研削或是研磨。 图式简单说明: 第1图,是显示使用于纵型热处理炉的半导体基板 用的热处理艇的结构例的图。 第2图,是显示本发明的第1例的热处理治具10的结 构的图。 第3图,是显示本发明的第2例的热处理治具20的结 构的图。 第4图,是显示本发明的第3例的热处理治具30的结 构的图。 第5图,是显示本发明的第4例的热处理治具40的结 构的图。 第6图,是显示本发明的第5例的热处理治具50的结 构的图。 第7图,是显示本发明的第6例的热处理治具60的结 构的图。 第8图,是显示本发明的第7例的热处理治具70的结 构的图。 第9图,是显示本发明的第8例的热处理治具80的结 构的图。 第10图,是显示本发明的第9例的热处理治具9的结 构的图。 第11图,是显示虽使用前述第2图所示的热处理治具 10的支架11,但未使用由矽单结晶所构成的环21的比 较例1的结构的图。 第12图,是显示虽使用前述第3图所示的热处理治具 20的支架12,但未使用由矽单结晶所构成的环22的比 较例2的结构的图。 第13图,是显示虽使用前述第4图所示的热处理治具 30的支架13,但未使用由矽单结晶所构成的环23的比 较例3的结构的图。 |
