发明名称 使用于真空室之气体轴承及其于微影蚀刻投影装置之应用
摘要 一种用于真空室之轴承,包含一气体轴承,该气体轴承将加压之气体泄放至两构件之间的间隙以保持该等构件之间预定的间隔。为避免形成该气体轴承之气体对真空室造成不应有的泄漏,因此在该真空室与该气体轴承之间备置一真空帮浦。
申请公布号 TWI242111 申请公布日期 2005.10.21
申请号 TW088108961 申请日期 1999.05.31
申请人 ASML公司 发明人 梭多鲁斯 赫伯兹 约瑟夫 比斯乔;JOSEPHUS BISSCHOPS;杰克伯 菲芬寇;何梅纽 梅塞斯 裘安尼斯 林 梭梅尔;JOANNES RENE SOEMERS;裘安尼斯 寇奈里 椎森;麦克 约瑟法 梅希 林肯斯;亚椎那斯 吉拉德斯 包沃
分类号 G03F7/20;H01L21/467 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种微影投影装置,包括: 一建构以用于供应放射投影束之放射系统; 一备有一用于支撑遮罩之遮罩支架的第一物件台; 一备有一用于支撑基体之基体支架的第二物件台; 一建构并安排以用于将遮罩之放射部份映像至基 体之目标部份之投影系统; 一真空室,具有一个圈围住至少该第一与第二物件 台之一的壁,该真空室壁中具有一孔; 一建构及安排以用于密封该孔之可移动密封构件; 一建构及安排以用于支撑该密封元件构件及在该 密封构件及该真空室壁间维持一间隙的轴承,该轴 承包括: 一适于用以提供加压气体至该间隙以产生可保持 该密封构件与该真空室壁分离之气体轴承之力量; 以及 一与该气体承轴分离之排放系统,建构及安排成将 该气体自该间隙移除。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中该密封构件包 含一可以平行于该真空室壁之方向移动的密封板; 及该气体轴承与排放系统被提供于该真空室壁内 以包围该孔。 3.如申请专利范围第1项之装置,尚包含一导管,用 于提供该间隙与一气体库之间的流体通连,其压力 高于该真空室之压力并小于该经加压气体之压力 。 4.如申请专利范围第3项之装置,其中该导管在一定 义该间隙之表面上包含一延长凹槽。 5.如申请专利范围第1项之装置,其中该间隙在形成 该气体轴承之气体供应点与排放系统之间的距离 大于排放系统与邻近真空室之间的距离。 6.如申请专利范围第1项之装置,其中该排放系统包 含一延长真空凹槽在一定义该间隙之表面上;一真 空帮浦;以及连接该延长真空凹槽与该真空帮浦之 真空导管。 7.如申请专利范围第6项之装置,其中该排放系统尚 包含至少一第二延长真空凹槽,其实质平行于该延 长真空凹槽并提供于相较于该气体轴承之另外一 边,一第二真空帮浦以及连接该第二延长真空凹槽 与该第二真空帮浦之真空导管,该第二真空导管可 制造一较真空导管更深之真空。 8.如申请专利范围第1项之装置,其中该气体轴承包 含一延长凹槽于一定义该间隙之表面上;以及气体 供应导管,其被建构用于在该延长凹槽之压力下供 应气体。 9.如申请专利范围第1项之装置,其中该气体轴承包 含多个互相分离之凹陷于定义该间隙之一表面上, 该凹陷为多孔材料所填充;以及建构以用于在该凹 陷之压力下供应气体之气体供应导管。 10.如申请专利范围第1项之装置,尚包含: 一通过该孔之支撑柱; 其中该密封构件包含一座部,可相对于该真空室壁 移动于至少一自由角度,及一轴环,可相对于该座 部移动于至少一自由角度,该轴环支撑该支撑柱; 其中该轴承系适于藉由提供加压气体至该座部与 该真空室壁间的一间隙,用以支承相关于该真空室 壁之该座部,并用以自该座部及该真空室壁间的间 隙移除气体;及 其中该轴承系适于藉由提供加压气体至该轴环与 该座部间的一间隙,用以支承相关于该座部之该轴 环,并用以自该轴环及该座部间的间隙移除气体。 11.如申请专利范围第10项之装置,其中该轴承系适 于藉由提供加压气体至该轴环与该支撑柱间的一 间隙,用以支承相对于该轴环之该支撑柱,并用以 自该轴环及该支撑柱间的间隙移除气体。 12.如申请专利范围第11项之装置,其中该座部系可 相关于该真空室墙壁移动于至少二个自由角度,该 轴环系可相对于该座部移动于至少二个自由角度, 以及该支撑柱系可相对于该轴环移动于至少二个 自由角度。 13.一种微影投影装置,包括: 一建构以用于供应放射投影束之放射系统; 一备有一用于支撑一遮罩之遮罩支架的第一物件 台; 一备有一用于支撑一基体之基体支架的第二物件 台; 一建构并安排以用于将遮罩之放射部份映像至基 体之目标部分之投影系统; 一真空室,具有一个圈围住至少该第一与第二物件 台之一的壁,该至少一物件台系可移动; 一适于在该真空室中可移动地支撑该至少一物件 台于一轴承表面的轴承,并维持一间隙于该两者间 ,该轴承包括: 一适于提供加压气体至该间隙的气体轴承,藉此产 生将该至少一物件台与该轴承表面分离之力量;及 一与该气体轴承分离之排放系统,建构及安排成将 该气体自该间隙移除,该排放系统系提供以围绕该 气体轴承。 14.如申请专利范围第13项之装置,尚包含一导管,用 于提供该间隙与一气体库之间的流体通连,其压力 高于该真空室之压力并小于该经加压气体之压力 。 15.如申请专利范围第14项之装置,其中该导管在一 定义该间隙之表面上包含一延长凹槽。 16.如申请专利范围第13项之装置,其中该间隙在形 成该气体轴承之气体供应点与排放系统之间的距 离大于排放系统与邻近真空室之间的距离。 17.如申请专利范围第13项之装置,其中该排放系统 包含一延长真空凹槽在一定义该间隙之表面上;一 真空帮浦;以及连接该延长真空凹槽与该真空帮浦 之真空导管。 18.如申请专利范围第17项之装置,其中该排放系统 尚包含至少一第二延长真空凹槽,其实质平行于该 延长真空凹槽并提供于相较于该气体轴承之另外 一边,一第二真空帮浦以及连接该第二延长真空凹 槽与该第二真空帮浦之真空导管,该第二真空导管 可制造一较真空导管更深之真空。 19.如申请专利范围第13项之装置,其中该气体轴承 包含一延长凹槽于一定义该间隙之表面上;以及气 体供应导管,其被建构用于在该延长凹槽之压力下 供应气体。 20.如申请专利范围第13项之装置,其中该气体轴承 包含多个互相分离之凹陷于定义该间隙之一表面 上,该凹陷为多孔材料所填充;以及建构以用于在 该凹陷之压力下供应气体之气体供应导管。 21.一种使用一微影投影装置以制造一元件之方法, 包含: 供应一放射投影束; 以一第一物件台的一遮罩支架支持一遮罩; 以一第二物件台的一基体支架支持一基体; 映像该遮罩的经照射部分于该基体的一目标部分 上; 以一可移动密封构件密封由该微影投影装置之一 真空室之一壁所定义之孔,该真空室壁圈围至少该 第一或第二物件台之一者; 提供一加压气体至于该密封构件及该真空室壁间 的一间隙中,用以产生保持该密封构件与该真空室 壁分离之力量; 自该间隙移除该气体;及 暴露该基体于该遮罩之一映像下。 22.如申请专利范围第21项之方法,包含使用一高于 该真空室压力并低于该加压气体压力之压力自该 间隙移除该气体。 23.根据申请专利范围第21项之方法所制作之装置 。 24.一种使用一微影投影装置以制造一元件之方法, 包含: 供应一放射投影束; 以一第一物件台的一遮罩支架支持一遮罩; 以一第二物件台之基体支架支持一基体; 映像该遮罩的经照射部分于该基体的一目标部分 上; 于一真空室中,相对于一轴承表面可移动地支承该 第一及第二物件台之至少一者; 提供一加压气体至于该轴承表面及该至少一物件 台间的一间隙中,用以产生保持将该轴承表面与该 至少一物件台分离之力量,并维持其间之该间隙; 自该间隙移除该气体;及 暴露该基体于该遮罩之一映像下。 25.如申请专利范围第24项之方法,包含使用一高于 该真空室压力并低于该加压气体压力之压力自该 间隙移除该气体。 图式简单说明: 图1显示如本发明之第一具体实施例的一种微影蚀 刻投影装置; 图2为如本发明之第二具体实施例之差异气体轴承 剖面图; 图3为图2之差异气体轴承之变种的一个计划图; 图3A是图3所示之差异气体轴承中一部份的一个放 大的剖面图; 图4为所揭示之发明之第三具体实施例之微影蚀刻 装置之晶圆级的剖面图; 图5为本发明之第四具体实施例的隔离安装之剖面 图;以及 图6为所揭示之第五具体实施例之晶圆级的剖面图 。
地址 荷兰