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发明名称 Fabrication method of polycrystalline silicon thin film transistor using a cap layer
摘要
申请公布号 KR100522436(B1) 申请公布日期 2005.10.20
申请号 KR20030007227 申请日期 2003.02.05
申请人 发明人
分类号 H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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