| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für ein PCM-Speicherelement und ein entsprechendes PCM-Speicherelement. Das Herstellungsverfahren umfasst die Schritte: Vorsehen von einer ersten und einer zweiten Leitungseinrichtung (MA, Mb) unter einer Isolationsschicht (10); Vorsehen eines Lochs (5a, 5b) in der Isolationsschicht (10), welches die erste und die zweite Leitungseinrichtung (Ma, Mb) abschnittsweise freilegt; Vorsehen eines jeweiligen streifenförmigen Widerstandselements (20; 20'; 20'') an der Wand des Lochs (5a, 5b), welches die freigelegte erste bzw. zweite Leitungseinrichtung (Ma, Mb) elektrisch kontaktiert, als jeweilige untere Elektrode; Vorsehen einer Füllung (30) aus einem Isolationsmaterial in dem Loch (5a, 5b), zwischen den streifenförmigen Widerstandselementen (20; 20'; 20''); Vorsehen einer Schicht (35) aus einem PCM-Material in dem Loch (5a, 5b), welche die streifenförmigen Widerstandselemente (20; 20'; 20'') an ihrer Oberseite elektrisch kontaktiert; Vorsehen einer leitenden Schicht (40) über dem Loch (5a, 5b) und der umliegenden Oberfläche der Isolationsschicht (10); Bilden von einem sublithographischen Maskenstreifen (50) auf der leitenden Schicht (40) über dem Loch (5a, 5b) und der umliegenden Oberfläche der Isolationsschicht (10) quer zur Richtung der ersten und zweiten Leitungseinrichtung (Ma, Mb); Bilden von Segmenten des Maskenstreifens (50); Strukturieren der leitenden Schicht (40) und der Schicht (35) aus dem PCM-Material unter Verwendung der Segmente zum Bilden der jeweiligen oberen Elektrode aus der leitenden Schicht (40) und eines zwischen der oberen und unteren Elektrode liegenden PCM-Bereichs aus der Schicht (35) aus dem PCM-Material; Entfernen der Maskenstreifen (50); und elektrisches Anschließen der oberen Elektroden an eine weitere Leitungseinrichtung (80).</p> |
