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Es wird ein NAND-Flash-Speicherbauelement und ein Verfahren zum Lesen desselben zur Verfügung gestellt, in welchem während einer Leseoperation eine Erdspannung an Strang- und Erdauswahltransistoren deselektierter Zellenblöcke angelegt wird, um so einen Widerstand einer Strangleitung zu erhöhen, um aufgrund von Rückvorspannungseffekten Leckströme zu verhindern. Ein reduzierter Bit-Leitungsleckstrom erhöht ein EIN/AUS-Stromverhältnis zwischen programmierten und gelöschten Zellen, um darin eine Abtastzeit zu reduzieren, welches ein Lesespiel derart einstellt, dass es eine Variation von Threshold-Spannungen aufgrund einer Datenretention und einer Lesestörung verhindert. Spannungen können unabhängig an die Source-Auswahlleitungen angelegt werden, indem die Source-Auswahltransistoren zwischen den Zellenblöcken elektrisch isoliert werden. Eine Reduzierung der Anzahl von Source-Entladungstransistoren durch elektrisches Verbinden der Source-Auswahltransistoren zwischen benachbarten Zellenblöcken steht zur Verfügung.
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