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Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung wird ein Halbleiterwafer vorbereitet (S1, S2), der eine Mehrzahl von IC-Chips (1) beinhaltet, von denen jeder einen Schaltkreis (4) mit einem Anschluß (3) zum Anlegen einer elektrischen Größe an dem Schaltkreis und einen Schalter (5) aufweist, der elektrisch mit einem Anschluß (3) in Verbindung steht. Eine Verdrahtung (2) ist zwischen benachbarten IC-Chips ausgebildet, um eine elektrische Parallel- oder Serienverbindung zwischen den Anschlüssen (3) der IC-Chips über den Schalter (5) zu bilden. Ein Test wird durchgeführt (S3), um die Betriebsfähigkeit (fehlerhaft oder nicht-fehlerhaft) eines jeden der IC-Chips (1) zu bestimmen. Der Schalter (5) wird dann betätigt (S4), um eine elektrische Verbindung zwischen den Anschlüssen (3) nur derjenigen IC-Chips, welche als nicht-fehlerhaft bestimmt wurden und der Verdrahtung (2) herzustellen. Ein Leitfähigkeitstest wird an den Schaltkreis (4) der IC-Chips (1) über die Verdrahtung (2) durchgeführt (S5). |
