化合物半导体单晶体生长用容器以及使用其的化合物半导体单晶体的制造方法

摘要

本发明提供在以VB法或VGF法制造化合物半导体单晶体中，不需要复杂的设备，可抑制结晶增径部的双晶、多晶体的产生，以高收率制造化合物半导体单晶体的单晶体生长用容器。在具有作为晶种容纳部的细径部、从该细径部向上方直径变大的增径部、以及从该增径部向上方延伸的作为晶体生长部的筒状的定径部的化合物半导体单晶体生长用容器中，该增径部内壁的构成角度大于等于120°且小于160°。

主权项

1.化合物半导体单晶体的晶体生长用容器，包括：容纳晶种的细径部、从该细径部向上方直径变大的增径部、以及从该增径部向上方延伸的作为晶体生长部的筒状的定径部，其特征在于，生长用容器的增径部内壁的构成角度大于等于120°且小于160°。