| 发明名称 | 双镶嵌结构中的金属－绝缘体－金属电容结构及制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请涉及双镶嵌结构中的金属－绝缘体－金属(MIM)电容结构及制造方法。具体来说，本发明提供了一种MIM电容器结构以及制造该结构的方法，使用具有第一图案(216)和第二图案(218)的双镶嵌图案对半导体器件(200)的电介质层(214)构图。第二图案的深度大于第一图案。在第一图案中的电介质层(214)上形成导电层(226)，在第一图案中的导电层上形成一个导电层。电介质层(232)、导电层(234)、电介质层(236)以及导电层(238)被设置在第二图案(218)的导电层(226)上。导电层(234)、电介质层(232)以及导电层(226)形成第一金属－绝缘体－金属电容器。导电层(238)、电介质层(236)以及导电层(234)形成平行于第一MIM电容器的第二MIM电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN1685475A | 申请公布日期 | 2005.10.19 |
| 申请号 | CN03822544.1 | 申请日期 | 2003.09.23 |
| 申请人 | 国际商业机器公司;英芬能技术北美公司 | 发明人 | 宁先捷;凯斯.洸汉.黄 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L29/00 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李春晖 |
| 主权项 | 1.制造金属-绝缘体-金属电容器的方法，包括：提供一个工件；在该工件上淀积一个层间电介质层；在该层间电介质层中形成第一图案，该第一图案具有在该层间电介质层中的第一深度；在该层间电介质层中形成第二图案，该第二图案在该层间电介质层内具有第二深度，该第二深度大于第一深度；在层间电介质层的所述第一图案上设置第一导电层；在层间电介质层的第二图案上设置第二导电层；在至少所述第二导电层上设置第一电介质层；以及在所述第一电介质层上设置第三导电层，其中，所述第二图案上的第三导电层、第一电介质层和第二导电层形成第一金属-绝缘体-金属电容器。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||