| 发明名称 | 半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体发光元件，不需要复杂的制造工序和制造技术就可大幅度提高光取出效率。该半导体发光元件，包括：通过注入电流产生第一发光的有源层；以及吸收所述第一发光的一部分、产生中心波长比所述第一发光的长的第二发光的吸收发光部，且所述第一发光的中心波长和所述第二发光的中心波长之差，在其混合光的发光光谱不丧失单峰性的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN1224113C | 申请公布日期 | 2005.10.19 |
| 申请号 | CN02105300.6 | 申请日期 | 2002.01.25 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 菅原秀人;新田康一;佐伯亮;近藤且章;岩本昌伸 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体发光元件，包括：通过注入电流产生第一发光的有源层；以及吸收所述第一发光的一部分、产生中心波长比所述第一发光的长的第二发光的吸收发光部，且所述第一发光的中心波长和所述第二发光的中心波长之差，在其混合光的发光光谱不丧失单峰性的范围内。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||