| 主权项 |
1、一种凹槽平面双栅结构MOS器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：首先在衬底上进行场氧化，然后分别淀积多层介质，依次为氮化硅层、氧化硅层、非晶硅层、氧化硅层；步骤2：光刻第一层版，刻掉最上面三层介质，依次为氧化硅层、非晶硅层、氧化硅层，露出氮化硅层；步骤3：再淀积一层氮化硅，与下层氮化硅相连，以保证对以后掏空层的支持；步骤4：然后进行第二次光刻，采用电子束曝光，中间露出线条状的多层介质，该多层介质的线条即为假栅的形状；步骤5：薄层氧化层的淀积，5-6nm的氧化层将氮化硅线条全部包上；步骤6：进行第三次光刻形成籽晶窗口；步骤7：淀积非晶硅层，穿过假栅线条中的掏空层，形成薄层沟道形状；步骤8：进行金属诱导横向再结晶制备大晶粒多晶硅，以使器件完全制作在一个晶粒上，其中进行金属诱导横向再结晶制备大晶粒多晶硅，首先在非晶硅层上淀积一层低温氧化层，进行第四次光刻并对低温氧化层进行刻蚀，形成金属图形窗口；然后溅射金属镍，在金属图形窗口中与非晶硅层直接相连，再结晶的过程包括两个高温退火过程：第一次560℃的60小时退火后，去除掉剩余未反应的镍，再进行第二次900℃的一个小时退火，以使形成的多晶硅尺寸进一步增大，退后完成后去除表面的低温氧化层；步骤9：对多晶硅层进行平坦化，露出氮化硅假栅；步骤10：进行第五次光刻，刻出源漏区以使器件隔离，可以将场区上的多晶硅全部去除；步骤11：氧化15nm，进行阱注入并推进，煮掉氮化硅并漂去氧化硅，使沟道硅桥悬空；步骤12：阈值调整，栅氧化，淀积多晶硅并进行第六次光刻，刻蚀形成多晶硅栅电极；步骤13：做一次侧墙，注入形成N源漏区，再作第二次侧墙注入形成N+源漏区；步骤14：低温氧化，刻孔，溅射四层金属，完成器件制备。 |
