发明名称 用于减少输入测试模式的输入周期数的半导体存储器
摘要 提供一种半导体存储器,可以达到减少测试时间和测试模式复杂程度的目的。该存储器由包含多个存储单元的存储单元阵列(13)、输入/输出缓冲器(2)、命令提供单元(15)、地址提供单元(16)及地址译码器(12)组成。命令提供单元(15)响应测试方式信号(1a),提供控制访问存储单元阵列(13)的命令。地址提供单元(16)根据命令提供地址(AAR<SUB>1</SUB>-AAR<SUB>M+L</SUB>)。地址译码器(12)根据地址(AAR<SUB>1</SUB>-AAR<SUB>M+L</SUB>)允许访问存储单元阵列(13)。当测试方式信号(1a)被激活时,命令提供单元(15)将命令置为预定内部命令。当测试方式信号(1a)未被激活时,命令提供单元(15)通过输入/输出缓冲器(2)接收外部命令,并将命令设置为外部命令。
申请公布号 CN1224053C 申请公布日期 2005.10.19
申请号 CN02101745.X 申请日期 2002.01.17
申请人 恩益禧电子股份有限公司 发明人 秋冈利明
分类号 G11C11/40;G11C29/00;G06F12/00 主分类号 G11C11/40
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 穆德骏;方挺
主权项 1.一种存储器,其特征在于包括:包含多个存储单元的存储单元阵列;输入/输出缓冲器;命令提供单元,响应测试方式信号,以提供控制访问所述存储单元阵列的命令,其中当所述测试方式信号被激活时,所述命令提供单元将所述命令设置为预定内部命令,当所述测试方式信号未被激活时,所述命令提供单元通过输入/输出缓冲器接收外部命令,并将所述命令设置为所述外部命令;地址提供单元,根据所述命令提供地址;以及地址译码器,其允许根据所述地址访问所述存储单元阵列。
地址 日本神奈川