在已经移去薄层之后对包括缓冲层的晶片的再循环

摘要

提供一种在移去至少一个有用层之后再循环施主晶片(10)的方法，该施主晶片(10)依次包括衬底(1)、缓冲结构(I)和移去之前的有用层。该方法包括在进行移去操作的一侧上除去涉及施主晶片(10)的一部分的物质，从而在除去物质之后，保留至少一部分缓冲结构(I)，它能在后来的有用层移去操作期间被再用作至少一部分缓冲结构(I)。本发明还涉及：一种制造能根据本发明被再循环的施主晶片(10)的方法；从可以根据本发明再循环的施主晶片(10)移去薄层的方法；能根据本发明被再循环的施主晶片(10)。

主权项

1、一种在已经移去至少一个有用层之后再循环施主晶片(10)的方法，其中所述有用层的材料由选自半导体材料的材料，该施主晶片(10)依次包括衬底(1)、缓冲结构(I)和移去之前的有用层，该方法包括在进行所述移去操作的所述施主晶片(10)的一侧上除去物质，其特征在于：除去物质之后，至少一部分缓冲结构(I)保留下来，然后这个至少一部分缓冲结构(I’)被再用作后来有用层移去操作的缓冲结构(I)。