Zn系半导体发光元器件及其制造方法

摘要

在基板1的主表面上，层叠形成由该基板1所不含之In系化合物或Zn系化合物作为构成材料之多晶层或非晶态层之前段缓冲层2’，之后，在形成发光区域前，将该前段缓冲层2实施晶化用的热处理而形成缓冲层2。藉此，提供出能制造简便且可提高发光区域品质之Zn系半导体发光元器件及其制造方法。

主权项

1、一种Zn系半导体发光元器件的制造方法，在基板主表面上形成由该基板所不含之In系化合物或Zn系化合物所构成之缓冲层，在该缓冲层上形成Zn系化合物所构成之发光区域，其特征在于，在该基板之主表面上形成多晶层或非晶态层的层叠体后，在形成该发光区域前，将该层叠体实施热处理而形成该缓冲层。