发明名称 |
一种合成具有三维连续纳米孔道结构氧化硅薄片的方法 |
摘要 |
本发明是一种合成具有三维连续纳米孔道结构的氧化硅薄片的方法。现有的氧化硅类薄片材料主要包括层状硅酸盐和层状中孔氧化硅,但是由于这些材料的层板一般都是封闭的,客体分子只能通过层板间隙扩散进入材料内部。本发明方法利用硅酯作为硅源,长链烷基伯胺作为模板剂,在醇/水混和溶剂中常温条件下合成了具有三维连续纳米孔道结构的氧化硅薄片。同时通过调节反应物的配比,可以在纳米级到亚微米级范围内控制薄片的厚度。该制备方法操作简便,成本低廉,由于氧化硅薄片的表面有丰富的孔口,非常有利于客体分子的扩散,可以用作吸附剂或催化剂载体。 |
申请公布号 |
CN1683241A |
申请公布日期 |
2005.10.19 |
申请号 |
CN200510023919.3 |
申请日期 |
2005.02.06 |
申请人 |
复旦大学 |
发明人 |
山巍;王波;唐颐 |
分类号 |
C01B33/12;B01J20/10;B01J21/08 |
主分类号 |
C01B33/12 |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 |
代理人 |
姚静芳;王福新 |
主权项 |
1、一种合成具有三维连续纳米孔道结构氧化硅薄片的方法,其特征在于通过硅酯在长链烷基伯胺的醇/水溶液中的水解反应生成氧化硅,然后高温焙烧除去模板剂,具体条件是:(1)长链烷基伯胺的用量为每升溶剂1.5~5.5克,醇和水的体积比为0.9~1.4,氨水的用量为每升溶剂10~40克,硅酯的用量是每升溶剂5~30克;(2)水解合成温度是常温,合成时间是4-24小时;(3)高温焙烧温度是500~650℃,焙烧时间是2~10小时。 |
地址 |
200433上海市邯郸路220号 |