高强度高导电性铜合金

摘要

本发明提供一种弯曲加工性优良、高强度、高导电性的电子部件用铜合金。同时具有弯曲加工性优良、高强度、高导电性的半导体仪器的电子部件用高强度高导电性铜合金，按照质量比，含有Ni：1.5％以上4.0％以下、Si：0.15％以上1.0％以下，Ni和Si的含量比Ni/Si为3以上7以下，O为0.0050％以下，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，其特征在于，对于Ni－Si系析出物的大小，设长径为a、短径为b时，a为20nm以上200nm以下且长宽比a/b为1以上3以下的析出物，按照在铜合金中含有的总析出物的面积率计算，占80％以上。

主权项

1.一种同时具有优良的强度、导电率、弯曲加工性的电子部件用高强度高导电性铜合金，按照质量比，其含有Ni：1.5％以上4.0％以下、Si：0.15％以上1.0％以下，Ni和Si的含量比Ni/Si为3以上7以下，O为0.0050％以下，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，其特征在于，设长径为a、短径为b时，a为20nm以上200nm以下且长宽比a/b为1以上3以下的Ni-Si系析出物，按照在铜合金中含有的总析出物的面积率计算，占80％以上。