| 发明名称 | 光抽运的表面发射半导体激光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种光抽运的表面发射半导体激光器件，该器件具有至少一个产生辐射源，该抽运辐射源具有一个边缘发射的半导体结构(30)，而且这个边缘发射的半导体结构(30)和量子阱结构(11)外延生长在一个共同的衬底(1)上。其中该抽运辐射源的边缘发射的半导体结构(30)做成一个半导体环形激光器的形状。 | ||
| 申请公布号 | CN1224148C | 申请公布日期 | 2005.10.19 |
| 申请号 | CN02802162.2 | 申请日期 | 2002.02.12 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | T.阿尔布雷赫特 |
| 分类号 | H01S5/183;H01S5/04;H01L33/00 | 主分类号 | H01S5/183 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 苏娟;赵辛 |
| 主权项 | 1.光抽运的表面发射半导体激光器件，具有至少一个产生辐射的量子阱结构(11)和至少一个用于量子阱结构(11)的光抽运的抽运辐射源，其中该抽运辐射源具有至少一个边缘发射的半导体结构(30)，而且该至少一个边缘发射的半导体结构(30)和量子阱结构(11)在一个共同的衬底(1)上外延生长，其特征为，至少一个边缘发射的半导体结构(30)含有至少一个环形激光器。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||