发明名称 |
压装功率半导体模块 |
摘要 |
大功率压装半导体模块(1)包括层(3,4),其直接接触Si半导体芯片(2)的一个或两个主电极,所述层由金属基体复合材料制造,该材料的热膨胀系数可调节为接近或匹配Si的值。 |
申请公布号 |
CN1685499A |
申请公布日期 |
2005.10.19 |
申请号 |
CN03822870.X |
申请日期 |
2003.09.29 |
申请人 |
ABB研究有限公司 |
发明人 |
萨蒂什·贡图里;丹尼尔·施奈德 |
分类号 |
H01L23/051;H01L23/492;H01L23/48;C22C49/06 |
主分类号 |
H01L23/051 |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
刘继富;顾晋伟 |
主权项 |
1.一种大功率压装半导体模块(1)包括:-导电底板(4);-至少一个导电顶板(3);-至少一个半导体芯片(2),包括半导体材料、与底板接触形成平面界面的第一主电极和与顶板接触的第二主电极;-外壳(11、12、13),包含基板、顶板和半导体芯片。其中在所述第一或第二主电极的至少其一附近提供材料,该材料与半导体材料一起形成共熔合金或熔点低于半导体材料的合金,特征在于-所述底板(4)或顶板(3)的至少其一由金属基复合材料制造,所述复合材料包括在Al或Ag基体中的界面平面上二维随机分布的石墨短纤维,其热膨胀系数接近于半导体材料,所述金属基复合材料包含所述形成合金的材料。 |
地址 |
瑞士苏黎世 |