采用两次离子注入的高操作电压双扩散漏极MOS器件

摘要

一种采用两次离子注入的高操作电压双扩散漏极MOS器件，至少包括在半导体衬底上的栅极、源极、和漏极，其中源极和栅极之间、以及漏极和栅极之间分别包括一个双扩散漏极区，每个双扩散漏极区至少包含有一个第一离子浓度区和一个第二离子浓度区，且第一离子浓度区位于所述双扩散漏极区的底部、第二离子浓度区位于所述双扩散漏极区的上部；第一离子浓度区的离子浓度低于所述第二离子浓度区的离子浓度；本发明利用垂直双扩散技术在DDD区的不同深度形成不同浓度的扩散区，进而增加结击穿电压，同时降低沟道阻值从而提高沟道导通电流以用做集成电路的高压器件，解决了现有技术中器件高击穿电压和低导通电流之间的矛盾。

主权项

1.一种采用两次离子注入的高操作电压双扩散漏极MOS器件的制作方法，该MOS器件至少包括在半导体衬底上的栅极、源极、和漏极，其中所述源极和漏极位于所述栅极两侧，在所述源极和所述栅极之间、以及所述漏极和所述栅极之间分别包括一个双扩散漏极区；其特征是：该方法至少包括如下步骤：a.顺序地在半导体衬底上形成场氧化层、栅绝缘层和栅电极；b.利用所述栅电极作为离子注入掩膜，向MOS器件的源极和漏极进行第一次离子注入，在所述双扩散漏极区形成第一离子浓度区；c.利用所述栅电极作为离子注入掩膜，向MOS器件的源极和漏极进行第二次离子注入，在所述双扩散漏极区形成第二离子浓度区。