发明名称 | 微结构气敏传感器阵列芯片及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明属于气敏传感器技术领域,是微结构气敏传感器阵列的芯片结构及制备方法。该芯片由硅片、加热电极、测量电极和气敏薄膜等组成,其在做基底的硅片中间部位有≥1个隔开独立的贯通孔,在各通孔上依次覆有:支撑膜、绝缘膜;支撑膜中心有加热电极,绝缘膜中心有测量电极,测量电极上覆盖气敏薄膜,在加热电极与测量电极间有绝缘膜;各个加热电极和气敏薄膜分别与通孔相对设置。本发明用微电机械系统(MEMS)加工技术大批量生产微结构气敏传感器阵列,采用金属薄膜作为加热电极和测量电极,有很好的耐高温性,与多晶硅加热的传感器及阵列相比稳定性大大提高。本发明传感器阵列中气敏薄膜用阵列自身的加热电极进行退火处理,大大简化了加工工艺。 | ||
申请公布号 | CN1684285A | 申请公布日期 | 2005.10.19 |
申请号 | CN200410033786.3 | 申请日期 | 2004.04.16 |
申请人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明人 | 高晓光;李建平;何秀丽;王利 |
分类号 | H01L49/00;G01N27/12 | 主分类号 | H01L49/00 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 1.一种微结构气敏传感器阵列芯片,由硅片、支撑膜、加热电极、绝缘膜、测量电极和气敏薄膜组成,其特征在于在做基底的硅片中间部位有≥1个隔开独立的贯通孔,在硅片的各通孔上表面上依次覆有:支撑膜、绝缘膜;支撑膜中心部设有加热电极,绝缘膜中心部设有测量电极,测量电极上覆盖有气敏薄膜,在加热电极与测量电极之间有一绝缘膜;各个加热电极和测量电极分别与通孔相对设置。 | ||
地址 | 100080北京市海淀区中关村路17号 |