发明名称 | 防止静电损坏的薄膜磁头及其磁性记录再生装置 | ||
摘要 | 本发明提供一种防止静电损坏的薄膜磁头及其磁性记录再生装置。通过使磁阻效应元件在芯块(C)内部与绝缘层处于邻接状态,芯块安装在台板上,台板的至少一面上装有绝缘性的过渡基板,过渡基板上形成的接点部与芯块的磁阻效应元件通过配线连接,包括磁阻效应元件的芯块的电容量为C<SUB>MR</SUB>,包括过渡基板与台板的部分的电容量为C<SUB>PWB</SUB>时,满足关系C<SUB>PWB</SUB>/C<SUB>MR</SUB><1.5,从而提供不会发生静电损坏或不会因静电荷而使磁阻效应元件发生劣化的薄膜磁头组合体。 | ||
申请公布号 | CN1224001C | 申请公布日期 | 2005.10.19 |
申请号 | CN03143809.1 | 申请日期 | 2003.07.25 |
申请人 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 发明人 | 菊入胜也 |
分类号 | G11B5/39 | 主分类号 | G11B5/39 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
主权项 | 1.一种薄膜磁头组合体,其特征在于:在芯块上形成媒体擦动面,在该芯块内部,磁阻效应元件与绝缘层处于邻接状态,所述芯块安装在台板上,同时该台板的至少一面上装有绝缘性的过渡基板,该过渡基板上形成的接点部与所述芯块的磁阻效应元件通过配线连接,包括所述磁阻效应元件在内的芯块的电容量为CMR,包括所述过渡基板与台板在内的部分的电容量为CPWB时,满足关系CPWB/CMR<1.5。 | ||
地址 | 日本东京都 |