翅片场效应晶体管及电路

摘要

一种驱动强度可调FinFET，驱动强度调整FinFET的方法，一种驱动强度比可调的FinFET以及驱动强度调整FinFET的方法，其中FinFET含有或者至少一个垂直及至少一个成角度的翅片，或者至少一个双栅翅片及一个分栅翅片。

主权项

1.一种电子器件，包括：一个源和一个漏；一个单晶第一翅片，含有第一和第二相反端以及第一和第二相反侧壁，并沿第一纵轴从所述第一翅片的第一到第二端延伸，所述第一翅片的第一端接触所述源，以及所述第一翅片的第二端接触所述漏，所述第一纵轴与一个晶面准直；一个单晶第二翅片，含有第一和第二相反端以及第一和第二相反侧壁，并沿第二纵轴从所述第二翅片的第一到第二端延伸，所述第二翅片的第一端接触所述源，以及所述第二翅片的第二端接触所述漏，所述第二纵轴与一个旋转远离所述晶面的平面准直；以及一个导电栅，与在所述第一翅片的第一和第二侧壁上以及在所述第二翅片的第一和第二侧壁上形成的一个栅电介质接触。